先导微电子科技专利“上新”，可有效降低砷化镓多晶合成成本

金融界日前消息，国家知识产权局信息显示，广东先导微电子科技有限公司取得一项名为“合成装置”的专利，授权公告号CN 222631619 U，申请日期为2024年5月。记者已从先导科技集团处证实。

专利摘要显示，本申请公开一种合成装置，包括合成炉、支撑组件、合成容器、加热机构及真空机构。将砷颗粒放置在下腔体内，高纯镓溶液放置在合成容器内，然后将盖体与炉体连接，以将合成腔密封，接下来通过真空机构对合成腔抽真空，抽真空结束后通过加热机构对合成容器以及砷颗粒进行加热，砷颗粒产生砷蒸汽，砷蒸汽通过支撑组件的透气孔及上腔体进入合成容器内，并在合成容器内与镓溶液反应合成砷化镓多晶。由于该合成装置中通过真空机构对合成腔进行抽真空，且盖体可拆卸地连接于炉体，故在合成砷化镓多晶后将盖体拆下即可将砷化镓多晶取出，该合成炉能够重复使用，从而降低了砷化镓多晶合成的成本。

天眼查资料显示，广东先导微电子科技有限公司，成立于2020年，位于清远高新区，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本54384万人民币，实缴资本52800万人民币。通过天眼查大数据分析，广东先导微电子科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息470条，此外企业还拥有行政许可178个。记者从中国专利公布公告获悉，2024年，广东先导微电子科技有限公司已公布的专利申请数超20条。

先导科技集团是稀散金属材料科技领域的龙头企业，当前，涉及稀有稀散金属元素品种数量、产业规模与产业链条均为国内最多，在铟、锗、镓、铋、硒、碲等六个主要稀散金属基本元素全球市场占有率较高。2024年，该集团铟金属及相关产品产销量约800吨（铟金属量），全球市场占有率60%；镓金属及相关产品产销量约350吨（镓金属量），全球市场占有率45%；锗金属及相关产品产销量约80吨（锗金属量），全球市场占有率40%，等等。

砷化镓是第二代化合物半导体材料，在光电及通信领域持续占据不可或缺的地位。凭借优异的禁带宽度、光电转化效率，以及出色的耐高温、抗辐射特性，其广泛应用于高频、高速、大功率集成电路的制造，与半导体、光纤及太阳能电池等关键词紧密相关。

南方+记者 陈立楷

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【作者】 陈立楷

【来源】 南方报业传媒集团南方+客户端